高速低压低功耗BiCMOS逻辑电路及工艺技术

• 作者: 成立 李彦旭 汪洋 董素玲
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双极互补金属氧化物半导体 低电压 低功耗 全摆幅输出 超大规模集成电路 特大规模集成电路
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 新工艺新技术
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2969字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2002.01.007

摘要

介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的BiC MOS逻辑门电路,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况.结果表明,这些电路的电源电压可达到2.0 V以下,而且信号传输延迟较小,有的还实现了全摆幅输出,因而它们可用于便携式电子设备和其它VLSI和ULSI新品等场合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成立	江苏大学电气信息学院	168	1567	21.0	32.0
2	李彦旭	江苏大学电气信息学院	27	207	8.0	13.0
3	汪洋	江苏大学电气信息学院	23	134	7.0	11.0
4	董素玲		12	144	7.0	12.0