AlGaAs:Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构

• 作者: 康俊勇 肖细凤
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Laplace缺陷谱,俘获势垒 DX中心 AlGaAs∶Sn
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 138-142
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.01.024

摘要

采用定电容电压法,测量了n型Al0.26Ga0.74As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态;并对瞬态数据进行数值Laplace变换,得到其Laplace缺陷谱(LDS). 通过分析LDS谱,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系,从而得到热俘获系数对温度依赖关系,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构;通过第一原理赝势法计算表明,Sn附近的Al/Ga原子的不同配置是电子热俘获势垒精细结构产生的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康俊勇	厦门大学物理系	29	84	5.0	8.0
2	肖细凤	厦门大学物理系	3	6	2.0	2.0