二维正弦调制靶的图形转移研究

• 作者: 吴广明 周斌 唐伟星 孙骐 杨帆 沈军 王珏 黄耀东
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 平面调制靶 电镀 图形转移工艺
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 327-330
• 页数: 4页
• 分类号: TL639
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2002.04.011

摘要

根据惯性约束聚变分解实验的要求,通过激光干涉法在光刻胶表面制备正弦起伏图形,结合电镀图形转移工艺,获得了波长20～100 μm、振幅0.2～3.5 μm的一系列Ni基图形转移模板,并进一步将正弦起伏图形转移到聚苯乙烯薄膜表面,制备出聚苯乙烯二维调制箔靶.研究了图形的精确转移工艺,特别是深振幅样品的脱模工艺,对工艺参数的优化进行了讨论.采用台阶仪和原子力显微镜监控图形转移过程,比较了光刻胶表面图形和一次、二次电镀转移图形以及转移到聚苯乙烯薄膜上图形的形貌,测定了图形转移过程中的深度变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周斌	同济大学波耳固体物理研究所	140	1582	22.0	31.0
2	沈军	同济大学波耳固体物理研究所	199	2285	26.0	36.0
3	王珏	同济大学波耳固体物理研究所	79	1255	22.0	32.0
4	杨帆	同济大学波耳固体物理研究所	95	774	15.0	24.0
5	吴广明	同济大学波耳固体物理研究所	118	1607	22.0	32.0
6	孙骐	同济大学波耳固体物理研究所	17	263	8.0	16.0
7	唐伟星	同济大学波耳固体物理研究所	6	19	3.0	4.0
8	黄耀东	同济大学波耳固体物理研究所	10	148	7.0	10.0