扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响

• 作者: 宋忠孝 徐可为 鞠新华
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 扩散阻挡层 Cu-Zr合金膜 电阻率 残余应力
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 页码范围: 723-726
• 页数: 4页
• 分类号: TG111.6|TG146.1
• 字数: 2382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2002.07.011

摘要

用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1 h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN,ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ@cm,退火后降至正常的数个μΩ@cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475 MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149 MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐可为	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	238	3333	30.0	44.0
2	宋忠孝	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	30	143	8.0	11.0
3	鞠新华	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	4	74	4.0	4.0