掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响

• 作者: C.D.Beling 冯汉源 林兰英 罗以琳 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 半绝缘 缺陷
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1041-1045
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 385字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.007

摘要

利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度.掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响.用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林兰英	中国科学院半导体研究所材料科学中心	33	145	7.0	10.0
2	罗以琳	汕头大学物理系	5	11	2.0	3.0
3	冯汉源	香港大学物理系	4	7	1.0	2.0
4	赵有文	中国科学院半导体研究所材料科学中心	42	217	7.0	11.0
5	C.D.Beling	香港大学物理系	4	23	2.0	4.0