铜在氨水介质铁氰化钾CMP抛光液中抛光速率及其影响因素的研究

• 作者: 何捍卫 胡岳华 黄可龙
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: 铜 CMP 抛光速率 影响因素
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 202-206
• 页数: 5页
• 分类号: O69:O646.6
• 字数: 2408字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2002.02.014

摘要

本文研究了腐蚀介质氨水、成膜剂铁氰化钾及磨粒γ-Al2O3浓度、抛光压力和抛光转速对铜化学-机械抛光速率的影响.解释了各影响因素的影响机理.实验表明了在一定范围内抛光速率与抛光压力及抛光转速呈线性关系,组分浓度对抛光速率的影响为非线性关系,Preston系数Kp是变量.最大抛光速率的化学-机械抛光液的配方为:4 %K3Fe(CN)6+1 %NH3*H2O+25 %γ-Al2O3,Kp=0.023 83;工艺条件为:300 r/min、80kpa.最佳抛光效果为:Ra=50 nm,Rmax=400 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄可龙	中南大学化学化工学院	447	6532	38.0	56.0
2	胡岳华	中南大学矿物工程系	253	4227	35.0	46.0
3	何捍卫	中南大学化学化工学院	48	569	12.0	21.0