大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系

• 作者: 任丙彦 刘彩池 张颖怀 王海云 郝秋艳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: CZSi单晶 原生微缺陷 间隙氧
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 特辑（半导体材料与设备）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 1958字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.03.009

摘要

通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响,并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验.结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度,通过高温退火可显著降低微缺陷的密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张颖怀	河北工业大学信息功能材料研究所	6	23	2.0	4.0
2	任丙彦	河北工业大学信息功能材料研究所	31	241	9.0	14.0
3	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
4	郝秋艳	河北工业大学信息功能材料研究所	37	179	9.0	12.0
5	王海云	河北工业大学信息功能材料研究所	16	86	5.0	8.0