氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光

• 作者: 周玉刚 张荣 谢世勇 郑有炓 陈鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 掺杂 离子注入 光致发光 高斯拟合
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.007

摘要

利用低压MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了GaN,用离子注入法掺入Mg杂质,退火后,进行光致发光测量,观察到显著的蓝光发射和黄带发射.光谱分析给出了与注入Mg离子相关的GaN禁带中能级的精细结构,其中: 间位Mg(Mgi)能级(导带下170meV)到替位Mg(MgGa)受主能级(价带上250meV)的跃迁产生了415nm发光峰; 该能级到价带上390meV能级的跃迁,以及带有紧邻N空位的替位Mg(MgGaVN)能级(导带下310meV)到 MgGa受主能级的跃迁,均产生了438nm发光峰.另外,退火使GaN晶格结构部分恢复,再现了黄带发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈鹏	南京大学物理系	57	921	13.0	30.0
2	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
3	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
4	周玉刚	南京大学物理系	9	15	2.0	3.0
5	谢世勇	南京大学物理系	3	13	1.0	3.0