直接耦合双耦合环高温超导dcSQUID中增大有效面积的图形设计

• 作者: 刘乐园 戴远东 杨涛 王守证 石玉娇 聂瑞娟 谢飞翔 马平
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: O51
• 字数: 2292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2002.01.007

摘要

设计和制作了一种新型的双耦合环的直接耦合高T.dc SQUD结构.根据Y.Zhang等在高T.rf SQUID中用图形填充内孔使电感减小的原理,在直接耦合dc SQUID中,用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感,进而增大Ap/Lp,以增大总的有效面积.用双晶衬底所做的对比实验表明,对于我们所设计的几何结构,有效面积增大了17%.