强化了对ESD和RF防范能力的半导体桥的发展

• 作者: DavidB.Novotney 叶欣
• 来源期刊: 火工情报
• 学科: 工学
• 关键词: 起爆器 射频电压保护 杂散电势 ESD RF 半导体桥
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 74-81
• 页数: 8页
• 分类号: TJ430.3

摘要

用半导体桥做成的起爆器在起爆爆炸材料方面有着固有的优势；全发火能量低，不发火性能好，作用时间快，对静电放电和射频辐射钝感。如果在SCB模件上增加某些元器件或改变一下结构，那么它的这些固有特性还可得以加强，从而减少由ESD，RF以及杂散电势引发的危害事故。本文讨论了两种由Ensign-Bickford公司和SCB技术公司（SCBTechnologies)共同研发的以SCB为基本组件的装置。集成有齐纳二极管（zener diode)的SCB起爆器，可实现极低的发火电流（小于0.3mJ)，同时又对标准的ESD脉冲钝感。文章还对专为用于油气井作业的射频电压保护（Radio Frequency Voltage Protect,RFVP)雷管的鉴定试验数据进行了讨论。结果表明，这种装置对RF和杂散电势的防范能力要优于常规电爆雷管（electroexplosive detonators)。