半导体纳米结构的可控生长

• 作者: 王占国
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 量子线 半导体纳米结构
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 208-217
• 页数: 10页
• 分类号: TN304
• 字数: 5991字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.005

摘要

应用MBE技术和SK生长模式,通过对研究材料体系的应力分布设计,生长动力学研究和生长工艺优化,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点(线)的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长,这对进一步的器件应用特别重要.讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0