掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

• 作者: 孙军生 张建新 张恩怀 张维连 李嘉席 赵红生 陈洪建
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掺锗直拉硅 氧沉淀 分凝 晶体缺陷
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1073-1077
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.013

摘要

利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张维连	河北工业大学材料学院半导体材料研究所	27	203	9.0	13.0
2	孙军生	河北工业大学材料学院半导体材料研究所	11	87	5.0	9.0
3	张恩怀	河北工业大学材料学院半导体材料研究所	8	66	4.0	8.0
4	张建新	河北工业大学材料学院半导体材料研究所	45	348	10.0	15.0
5	陈洪建	河北工业大学材料学院半导体材料研究所	19	242	8.0	15.0
6	赵红生	河北工业大学材料学院	5	44	3.0	5.0
7	李嘉席	河北工业大学材料学院半导体材料研究所	6	74	4.0	6.0