不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光

• 作者: 周晓滢 孙长征 罗毅 胡卉 郭文平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型掺杂 GaN 光致发光 退火 补偿 势能波动
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1168-1172
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.008

摘要

研究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同Mg掺杂浓度的GaN样品薄膜,经不同温度退火处理后的发光特性.实验发现随着退火温度的升高,不同掺杂浓度的Mg∶GaN材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小,经850℃退火后蓝带集中在2.92eV附近.利用Mg∶GaN材料内部补偿模型对此现象进行了分析,同时认为对于掺杂浓度较高的样品,850℃为最佳的退火温度.