新型掺杂石墨及其SiC涂层材料真空性能评价研究

• 作者: 李建刚 李生发 王小明 罗南昌 辜学茂 陈俊凌
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 掺杂石墨材料 真空性能 聚变装置
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 8-12
• 页数: 5页
• 分类号: TB32
• 字数: 3397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2002.01.003

摘要

将为HT-7U装置第一壁研制的一种新型掺杂石墨及其SiC厚膜梯度涂层材料放在自行设计的一种真空性能评价装置的样品室,通过程序升温和控温,出气率实验分别在室温、300 ℃和 350 ℃ 3种温度下进行.通过真空计和四极质谱仪分别对样品室和主真空室的全压、分压和出气成分进行监测,在获得被测试材料的出气率和出气成分等真空性能参数后,认为该种新材料的真空性能适于今后HT-7U装置的使用要求,同时实验结果还为使用该种新材料作为第一壁材料所需的壁处理提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈俊凌	中国科学院等离子体物理研究所	43	333	12.0	16.0
2	李建刚	中国科学院等离子体物理研究所	49	705	13.0	25.0
3	王小明	中国科学院等离子体物理研究所	21	109	7.0	9.0
4	辜学茂	中国科学院等离子体物理研究所	12	64	5.0	7.0
5	罗南昌	中国科学院等离子体物理研究所	5	37	3.0	5.0
6	李生发	中国科学院等离子体物理研究所	2	27	2.0	2.0