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摘要:
研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱.用非接触式测量方法--光谱法测定了等离子体特性.讨论了分子束外延生长系统参数的变化与等离子体发光光谱变化之间的联系,薄膜生长与等离子体内活性粒子之间的关系.
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文献信息
篇名 射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 等离子体发射光谱 射频 分子束外延生长
年,卷(期) 2002,(2) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 153-156
页数 4页 分类号 TN304.054|TN405.98+4
字数 2570字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.02.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒲以康 清华大学电机系 11 317 8.0 11.0
2 杨冰 清华大学电机系 16 175 8.0 12.0
3 孙殿照 中国科学院半导体研究所 10 98 5.0 9.0
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研究主题发展历程
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射频
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