用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射

• 作者: 余宁梅 余明斌 杨安 马剑平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米 碳化硅 薄膜 光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 280-284
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3197字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.010

摘要

用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备了纳米碳化硅薄膜.实验中发现:在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下,可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜.用高分辩透射电子显微镜、傅里叶红外吸收谱、Raman散射和X射线光电子谱等分析手段对薄膜的结构进行了分析.在室温条件下,薄膜能够发出强烈的短波长可见光,发光峰位于能量为2.64eV处.瞬态光谱研究表明样品的光致发光寿命为纳秒数量级,表现出直接跃迁复合的特征.这种材料有希望在大面积平面显示器件中得到应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余宁梅	西安理工大学应用电子工程系	97	476	11.0	15.0
2	余明斌	西安理工大学应用电子工程系	8	79	5.0	8.0
3	马剑平	西安理工大学应用电子工程系	19	114	7.0	10.0
4	杨安	西安理工大学应用电子工程系	3	8	1.0	2.0