锰硅化物的固相反应生长研究

• 作者: 姜宁 王文武 谢二庆 贺德衍
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 锰硅化物 原位方块电阻测量 固相反应 红外光谱
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 873-876
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2973字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.032

摘要

报道了利用固相反应方法在单晶Si(100)衬底上制备锰硅化物薄膜.实验发现,样品在固相反应过程中经历了两种相转变,即反应温度为450℃时形成了立方相MnSi,达到550℃时形成了四方相MnSi1.73.随着反应温度的提高,薄膜呈现取向生长.利用四探针法对固相反应过程中化合物薄层方块电阻的原位测量表明,立方相开始形成的温度约为410℃,由立方相向四方相转变的起始温度约为530℃.红外透过谱测量得到了不同结构相的红外吸收特征峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理系	84	371	11.0	14.0
2	姜宁	兰州大学物理系	5	21	2.0	4.0
3	贺德衍	兰州大学物理系	68	559	13.0	19.0
4	王文武	兰州大学物理系	6	12	2.0	3.0