直拉硅中氧沉淀的TEM研究

• 作者: 徐进 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧沉淀形态:透射电镜 动力学
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 特辑（半导体材料与设备）
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.03.010

摘要

论述了使用透射电镜来研究氧沉淀的形态与热处理温度和时间的关系.对氧沉淀的生成动力学,研究的现状和存在的问题以及发展前景也进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	徐进	浙江大学硅材料国家重点实验室	43	501	10.0	21.0