金属-铁电体-GaN结构研究

• 作者: 刘治国 周玉刚 张荣 施毅 李卫平 殷江 毕朝霞 沈波 郑有炓 陈志忠 陈鹏 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN PZT MFS MOCVD PLD
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 2450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.007

摘要

以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47)O3取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构.由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数,GaN基金属-铁电体-半导体(MFS)结构的电容-电压特性与其他GaN基MIS结构相比较得到了显著的提高.GaN基MFS结构中GaN激活层达到反型时的偏压小于5V,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致,而且结果表明GaN层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级.因此,GaN基MFS结构对于GaN基场效应晶体管的实际应用具有重要的意义.