CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析

• 作者: 严荣良 任迪远 余学锋 张国强 王明刚 胡浴红 赵文魁 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS运算放大器 辐射效应 损伤分析
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 218-222
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.1|TN72
• 字数: 2993字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2002.03.012

摘要

通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化,探讨了引起运放电特性退化的主要原因.结果显示,由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称,在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配,是导致运放电参数发生剧变的根本原因.对CMOS运放电路来说,电路结构的匹配及MOSFET单管I-V特性的优劣,是决定运放抗辐射能力的