掺杂VO2薄膜的相变机理和光电特性研究

• 作者: 姜中宏 徐时清 谷臣清 赵康 马红萍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: VO2薄膜 掺杂 光电性能 无机溶胶-凝胶法
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 页码范围: 472-477
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2885字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.011

摘要

本文采用V2O5粉和MoO3粉为原料,通过无机溶胶-凝胶法制备掺Mo6+的VO2薄膜.实验采用XRD和XPS等研究手段,对掺杂薄膜的物相组成、价态、相变温度、电阻突变量级和相变前后的光透过率进行了测试.结果发现:所制备的掺杂薄膜其主要成份是VO2,掺入的MoO3结构未发生改变,掺杂薄膜随MoO3含量的增加其相变温度明显下降,但其电阻突变量级和光透过率的突变量亦随之降低,其中,电阻突变量级的下降趋势更显著,不过只要MoO3掺杂量不高于5%时,掺杂薄膜的电阻突变仍可保持2个量级以上,而且红外光透过率的突变量仍保持较高.分析认为,薄膜中掺入的MoO3与VO2可以互溶,从而可作为施主组元降低VO2能带结构中的禁带宽度,改变其光电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐时清	中国科学院上海光学精密机械研究所	25	404	13.0	19.0
2	姜中宏	中国科学院上海光学精密机械研究所	83	1397	21.0	33.0
3	马红萍		23	206	9.0	14.0
4	赵康	西安理工大学材料科学与工程学院	101	737	16.0	22.0
5	谷臣清	西安理工大学材料科学与工程学院	51	565	15.0	21.0