纳米结构制备及硅单电子晶体管的研究

• 作者: 卢刚 毛胜春 王建农 葛惟昆 陈治明 马剑平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米结构:单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 70-73
• 页数: 4页
• 分类号: TN301|TN303
• 字数: 2688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.11.022

摘要

介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应以及在固定的Vds电压下,源漏电流(Ids)随栅极电压(Vgs)变化的一系列周期变化的电流振荡特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	葛惟昆	香港科技大学物理系	14	37	4.0	5.0
3	王建农	香港科技大学物理系	13	55	4.0	7.0
4	马剑平	西安理工大学电子工程系	19	114	7.0	10.0
5	卢刚	西安理工大学电子工程系	16	38	3.0	5.0
9	毛胜春	西安理工大学电子工程系	2	2	1.0	1.0