采用N2-RF等离子体氮化GaAs(001)

• 作者: 周建辉 张国义 秦志新 陈志忠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 氮化 分子束外延
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 114-118
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.02.003

摘要

研究了在MBE系统中,GaAs(001)表面的氮化过程.GaAs(001)表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2气流下.两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果.在打开N2发生器挡板的情况下,氮化导致GaAs(001)表面损伤,并且形成多晶结构.当增加N2气压时,损伤变得更严重.但是,在关闭N2发生器挡板的情况下,在500℃下,经过氮化将观察到(3×3)再构的RHEED花样,表面仍保持原子级的平整度.上述结果表明,不开N2发生器挡板,低温(500℃下)氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c-GaN.