γ-LiAlO2晶体的生长缺陷研究

• 作者: 干福熹 徐军 李杼智 杨卫桥 蒋成勇 邓佩珍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: γ-LiAlO2晶体 缺陷 位错 同步辐射X射线形貌术 GaN衬底
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 页码范围: 565-568
• 页数: 4页
• 分类号: O774
• 字数: 2322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.011

摘要

γ-LiAlO2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2晶体的缺陷.结果表明,提拉法生长的γ-LiAlO2晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界.并发现在其(100)晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
2	徐军	中国科学院上海光学精密机械研究所	290	2418	22.0	34.0
3	邓佩珍	中国科学院上海光学精密机械研究所	88	747	14.0	22.0
4	杨卫桥	中国科学院上海光学精密机械研究所	19	138	6.0	11.0
5	蒋成勇	中国科学院上海光学精密机械研究所	9	47	4.0	6.0
6	李杼智	中国科学院上海光学精密机械研究所	1	1	1.0	1.0