掺杂稀土元素对Ni(OH)2晶格的影响

• 作者: 尹艳红 杨书廷 贾俊华 赵培正 陈改荣 陈红军
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 化学
• 关键词: 均匀络合共沉淀法 电极可逆性 比容量
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 278-280
• 页数: 3页
• 分类号: O646|TM911
• 字数: 3215字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2002.04.006

摘要

首次研究了掺杂稀土元素La、Nd对Ni(OH)2晶格的影响,通过掺入异种高价离子,改变了Ni(OH)2的晶格常数,特别是c轴的增加,改善了材料的质子扩散性能,减少了电化学反应的阻力.另外,掺杂异价离子降低了Ni2+的局域能级,引入了大量的正缺陷.相对于未掺杂晶体,其OH-的数量增多,增大了质子扩散的几率,因而提高了材料的电化学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹艳红	河南师范大学化学与环境科学学院	53	616	15.0	22.0
2	杨书廷	河南师范大学化学与环境科学学院	73	917	17.0	26.0
3	贾俊华	河南师范大学化学与环境科学学院	15	362	12.0	15.0
4	陈红军	河南师范大学化学与环境科学学院	12	261	10.0	12.0
5	赵培正	河南师范大学化学与环境科学学院	22	135	7.0	11.0
6	陈改荣	河南平源大学化工系	1	28	1.0	1.0