调整VO2薄膜相变特性和TCR的制备及辐照方法

• 作者: 何捷 卢勇 林理彬
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: VO2薄膜 电阻温度系数 电学性能 电子辐照
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 材料和元件
• 页码范围: 58-60
• 页数: 3页
• 分类号: O484 5|TQ135 1
• 字数: 1464字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2002.01.002

摘要

采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2薄膜,并对制备出的薄膜进行电子辐照.通过测试辐照前后的VO2 薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻-温度系数(TCR),表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2薄膜相变过程中电学性能,提高薄膜的电阻-温度系数.对影响VO2 热致相变薄膜电学性能及电阻温度系数的因素进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林理彬	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	90	605	13.0	20.0
2	何捷	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	48	382	11.0	17.0
3	卢勇	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	27	243	8.0	14.0