SOI材料的制备技术

• 作者: 周旗钢 屠海令 常青 张果虎 王敬 肖清华
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 注氧隔离 智能剥离 硅片键合与减薄 外延层转移
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 460-467
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 6955字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.013

摘要

SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景. 介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果. 降低制造成本、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来SOI材料制备技术改进的目标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠海令		42	224	8.0	12.0
2	周旗钢		35	176	8.0	12.0
3	王敬		16	83	5.0	8.0
4	肖清华		9	78	3.0	8.0
5	常青		7	29	3.0	5.0
6	张果虎		5	26	3.0	5.0