利用FN振荡电流估计金属-氧化物-半导体场效应管Si-SiO2界面宽度

• 作者: 杨尧 毛凌锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: FN隧穿电流 MOSFET 界面
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 70-73
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1903字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.016

摘要

给出一种利用FN隧穿电流振荡来估计金属-氧化物-半导体场效应管的界面宽度的方法,数值计算的结果表明该方法可以精确而且方便地估计界面宽度,用这种方法估计得到的界面宽度在0.3nm左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛凌锋	北京大学微电子所	16	38	4.0	4.0