LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析

• 作者: 宫崎诚一 彭英才 池田弥央 稻毛信弥
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si纳米量子点 自组织生长 量子限制效应-界面中心复合发光
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 261-264
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2437字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.03.010

摘要

采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,通过纯SiH4气体的表面热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点,在室温条件下实验研究了其光致发光(PL)特性,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系.结果指出,当Si纳米量子点高度hc＜5nm时,其PL效率基本保持不变.而当hc5nm时,PL效率则急剧下降.同时,PL峰值能量随hc的减少而增大,并与(1/hc)2成正比依赖关系.如当hc从5.5nm减小至0.8nm时,其峰值能量从1.28eV增加到1.43eV,出现了约0.15eV的谱峰蓝移.我们用量子限制效应-界面发光中心复合发光模型解释了这一实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0