GaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算

• 作者: 宗志园 富容国 常本康 钱芸生
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电阴极 NEA 电子 表面逸出几率 偶极层
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TN151
• 字数: 3189字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.03.007

摘要

介绍了计算CaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的方法,选用双偶极层表面模型,计算了两个偶极层形成的界面势垒各自对电子表面逸出几率的影响,提出了增大电子表面逸出几率的条件,并粗略推测了第一偶极层的厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱芸生	南京理工大学电子工程与光电技术学院	86	807	13.0	24.0
2	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
3	宗志园	南京理工大学电子工程与光电技术学院	20	154	9.0	11.0
4	富容国	南京理工大学电子工程与光电技术学院	27	227	8.0	14.0