NH3分解率对GaN半导体MOVPE外延生长成分空间的影响

• 作者: 卢琳 张维敬 李长荣 杜振民
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 热力学分析 氮化镓 MOVPE
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 241-244
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2002.04.001

摘要

研究了以三甲基镓(TMGa)和氨(NH3)为气源物质,以氢气(H2)为载气进行GaN半导体的金属有机物气相外延(MOVPE)生长时,NH3分解率对于GaN半导体外延生长的成分空间的影响.热力学计算结果表明:随着NH3分解率的提高,用于生长GaN外延层的气+固两相区逐渐向高Ⅴ/Ⅲ比方向变小,解释了实际生长过程中Ⅴ/Ⅲ比要求很高的原因.预计高的Ⅴ/Ⅲ比及低的NH3分解率有助于GaN的MOVPE外延生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜振民	北京科技大学材料科学与工程学院	25	86	5.0	7.0
2	李长荣	北京科技大学材料科学与工程学院	87	551	12.0	16.0
3	卢琳	北京科技大学材料科学与工程学院	39	190	7.0	13.0
4	张维敬	北京科技大学材料科学与工程学院	7	9	1.0	3.0