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摘要:
介绍了用(NH4)2S和P2S5-NH4OH处理半导体激光器的表面来避免光学灾变的方法.重点介绍用氮离子注入形成窗口结构来避免光学灾变.
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文献信息
篇名 半导体激光器中的光学灾变
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 半导体激光器 光学灾变 氮离子注入 窗口结构
年,卷(期) 2002,(2) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 87-89
页数 3页 分类号 TN248.4
字数 1159字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.02.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王立军 中国科学院激发态物理开放实验室 131 1339 19.0 31.0
2 刘云 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 99 706 15.0 23.0
3 程东明 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 5 29 4.0 5.0
4 宋晓舒 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 1 8 1.0 1.0
5 王乐 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 18 106 6.0 10.0
6 曹玉莲 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 15 78 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
半导体激光器
光学灾变
氮离子注入
窗口结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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