(Ga,Mn,As)/GaAs的发光谱

• 作者: 何宏家 叶小玲 杨君玲 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: (Ga,Mn,As) GaAs单晶 质量分析的低能离子束 光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 2753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.006

摘要

利用低能双离子束外延技术,在400℃条件下生长样品(Ga,Mn,As)/GaAs.样品光致发光谱出现三个峰,即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带.宽发光带的中心位置在1.35eV附近,半宽约0.1eV.在840℃条件下对样品进行退火处理,退火后的谱结构类似退火前,但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5065eV和1.4894eV,同时低能侧的宽发光带的强度大大增加.这一宽发射带的来源还不清楚,原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带,生成Mn2As新相,Mn占Ga位或形成GaMnAs合金.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	33	154	6.0	11.0
3	杨君玲	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	3	7	1.0	2.0
4	叶小玲	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	9	25	3.0	4.0
7	何宏家	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	4	18	1.0	4.0