Cu/MgO界面结构的高分辨电子显微镜研究

• 作者: 刘红荣 杨奇斌 王岩国 蔡灿英
• 来源期刊: 湘潭大学自然科学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属/氧化物 界面 Cu/MgO 位错
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 26-28,36
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 2461字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5900.2002.04.007

摘要

利用高分辨透射电子显微镜对内部氧化Cu/Mg合金产生的Cu/MgO界面进行了研究,观察到了一种新的取向关系,这种取向关系不同于通常观察到的两晶胞取向完全一致的简单关系.而且对界面的结构和位错进行了研究,发现两位错线之间的距离与O点阵理论符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王岩国	中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室	18	31	3.0	4.0
2	杨奇斌	湘潭大学现代物理研究所	18	12	2.0	2.0
3	刘红荣	湘潭大学现代物理研究所	4	3	1.0	1.0
4	蔡灿英	湘潭大学现代物理研究所	5	7	2.0	2.0