热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进

• 作者: 刘忠立 林兰英 王俊 王启元 王建华 谭利文 邓惠芳 郁元桓
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: γ-Al2O3 SOI MOCVD 退火
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1178-1181
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2817字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.010

摘要

采用高真空MOCVD外延技术,利用TMA(Al(CH3)3)和O2作为反应源,在Si(100)衬底上外延生长γ-Al2O3绝缘膜形成γ-Al2O3/Si异质结构材料.同时,引入外延后退火工艺以便改善γ-Al2O3薄膜的晶体质量及电学性能.测试结果表明,通过在O2常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2O3外延层的残余热应力及孪晶缺陷,改善外延层的晶体质量,同时可以提高MOS电容的抗击穿能力,降低漏电电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊	中国科学院半导体研究所材料中心	130	1155	16.0	27.0
2	王建华	中国科学院半导体研究所材料中心	122	2608	27.0	48.0
3	刘忠立	中国科学院半导体研究所微电子研发中心	77	412	12.0	14.0
4	王启元	中国科学院半导体研究所材料中心	10	77	4.0	8.0
5	郁元桓	中国科学院半导体研究所材料中心	5	14	3.0	3.0
6	谭利文	中国科学院半导体研究所材料中心	3	11	2.0	3.0
7	邓惠芳	中国科学院半导体研究所材料中心	2	10	2.0	2.0