MCS96系列单片机扩展大容量FLASHRAM的改进

• 作者: 陈卫兵
• 来源期刊: 微电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单片机 段 物理地址 逻辑地址 FLASHRAM
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 产品与应用
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TN431.2
• 字数: 925字
• 语种: 中文

摘要

目前在单片机的应用开发中,FLASHRAM使用非常普遍,本文根据MCS96系列单片机的一种大容量的外部RAM扩展技术思想,针对扩展大容量FLASHRAM给出了具体的改进措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈卫兵	阜阳师范学院物理系	36	101	7.0	8.0