采用介质谐振器的高稳定度GaAs FET振荡器

• 作者: 席晓莉 王丽黎
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 振荡器 介质谐振器 频率稳定度
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 163-166
• 页数: 4页
• 分类号: TN752.5
• 字数: 2565字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2002.02.013

摘要

在对介质谐振器特性及其反馈电路特性分析的基础上,采用微波集成电路技术研制出一种新型的用介质谐振器作为反馈电路且具有高频率稳定度的GaAs FET振荡器,并考虑了该振荡器的偏置电路.结果表明,该振荡器具有大于1 000的外部品质因素; 在振荡频率为11.85 GHz、输出功率为70 mW时,其效率为 20%; 大于1 000 MHz的调谐范围; 用同样的微带电路形式,用5种不同的介质谐振器可以得到9～14 GHz的振荡频率; 在-20℃～60℃温度范围内可以得到低于150 kHz/℃的高频率稳定度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	席晓莉	西安理工大学自动化与信息工程学院	44	264	10.0	13.0
2	王丽黎	西安理工大学自动化与信息工程学院	32	164	7.0	11.0