横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究

• 作者: 冯淦 杨辉 梁骏吾 王玉田 贾全杰 郑文莉 郑新和
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 横向外延生长 晶面倾斜 晶粒度 同步辐射X光衍射
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 页码范围: 770-774
• 页数: 5页
• 分类号: O722+.2|O723|TN304.7
• 字数: 2532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2002.10.002

摘要

采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征.发现横向生长区的GaN(0001)晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差.ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时,还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸.