新型半导体清洗剂的清洗工艺

• 作者: 于新好 曹宝成 马洪磊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 红外吸收谱 X射线光电子谱 清洗工艺
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 777-781
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.97
• 字数: 2984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.021

摘要

报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果.采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在,一般DGQ -1、DGQ-2的配比浓度在90%到98%之间;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时,增溶能力最强,因而清洗液的温度定在60℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马洪磊	山东大学光电材料与器件研究所	58	681	15.0	23.0
2	曹宝成	山东大学光电材料与器件研究所	6	74	5.0	6.0
3	于新好	山东大学光电材料与器件研究所	5	56	4.0	5.0