生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响

• 作者: 元光 周天明 宋航 李树玮 缪国庆 蒋红 金亿鑫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铟镓砷 生长温度 低压金属有机化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 465-468
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1504字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.05.010

摘要

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xGa1-x材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响.随着生长温度的升高,为了保证铟在固相中组分不变,必须增加三甲基铟在气相中的比例.在生长温度较高时,外延层表面粗糙.生长温度在630℃与650℃之间,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄,高于或低于这个温度区间,半高宽变宽.迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值,然后随着生长温度的升高反而降低.生长温度降低使载流子浓度增大,在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	缪国庆	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	15	45	4.0	5.0
2	金亿鑫	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	12	54	5.0	6.0
3	蒋红	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	13	45	4.0	5.0
4	周天明	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	12	2.0	2.0
5	李树玮	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	12	2.0	2.0
6	元光	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	16	3.0	3.0