MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用

• 作者: 元光 宋航 小池一步 李树玮 矢野满明 缪国庆 蒋红 金亿鑫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 垂直堆垛的InAs量子点 分子束外延(MBE) 深能级瞬态谱 场效应管(FET) 非挥发存储器
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 554-558
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2773字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.06.004

摘要

用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性.用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光致发光(PL)和深能级瞬态谱(DLTS)对InAs量子点进行观测.所用Al0.5Ga0.5As势垒外延层,对镶嵌在其中的InAs量子点有很强的量子限制作用,并产生强量子限制效应,可以把InAs量子点的电子和空穴能级的热激发当作"深能级"的热激发来研究,这样可用DLTS方法进行测量.在垂直堆垛的InAs量子点的HFET器件中,由充电和放电过程的IIDS-VGS曲线可以看到阈值电压有非常大的移动,这样便产生存储效应.