GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现

• 作者: 付羿 冯志宏 孙元平 张书明 张泽洪 杨辉 赵德刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方相GaN 晶片键合 工艺设计
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1001-1005
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.09.020

摘要

利用光学薄膜原理,计算了采用晶片键合技术来提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性.以Ni为粘附层,Ag为反射层的Ni/Ag/Au薄膜体系可以使立方GaN的出光效率从理论上提高2.65倍左右.实验结果证实,利用键合方法实现的以Ni/Ag/Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的GaN/GaAs样品的光反射率在理论计算的459.2nm处提高了2.4倍.