磁记忆检测裂纹类缺陷的理论模型

• 作者: 丁辉 张寒 文习山 李晓红
• 来源期刊: 无损检测
• 学科: 工学
• 关键词: 电磁检验 磁记忆 应力场 裂纹 模型
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 磁记忆检测专题论坛
• 页码范围: 78-80，85
• 页数: 4页
• 分类号: TG115.28+4
• 字数: 3501字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6656.2002.02.009

摘要

通过建立裂纹类缺陷应力场与磁通量变化间的数学模型,阐明裂纹埋藏深度、宽度、走向、受力条件及外磁场等不同时的磁通量变化规律,为磁记忆检测裂纹类缺陷提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	文习山	武汉大学动力与机械工程学院	246	4981	39.0	56.0
2	李晓红	武汉大学动力与机械工程学院	65	514	13.0	21.0
3	丁辉	武汉大学动力与机械工程学院	41	557	13.0	23.0
4	张寒	武汉大学动力与机械工程学院	3	142	3.0	3.0