场致发射显示器的现状与发展

• 作者: 史永胜 朱长纯
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 场致发射显示器 场发射阵列 碳纳米管
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 15-17,26
• 页数: 4页
• 分类号: TN141
• 字数: 2317字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2002.05.003

摘要

通过对场致发射显示器(FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析,着重讨论了场致发射体及其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点.并介绍国外著名公司的研究动态,展望FED的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电信学院	215	2372	22.0	41.0
2	史永胜	西安交通大学电信学院	14	144	5.0	12.0