MoS2基板上外延生长C60薄膜的分子动力学模拟

• 作者: 乌明奇 陈荣新 顾昌鑫
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 范德瓦尔斯外延 晶格失配 分子动力学模拟
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 360-365
• 页数: 6页
• 分类号: O411.3|O484.1
• 字数: 2704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.05.009

摘要

外延生长异质薄膜通常要求材料之间晶格匹配,然而利用范德瓦尔斯作用外延生长时,晶格匹配要求显著降低.实验上已经得出了在MoS2基板上外延生长C60薄膜的结果,本文用分子动力学计算机模拟方法对MoS2基板上外延生长C60薄膜进行了研究,证实范德瓦尔斯外延可以克服较大的晶格失配问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈荣新	复旦大学材料科学系	15	74	5.0	8.0
2	顾昌鑫	复旦大学材料科学系	11	45	4.0	6.0
3	乌明奇	复旦大学材料科学系	2	5	1.0	2.0