新的非平面Flash Memory结构

• 作者: 李明 欧文 钱鹤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 快闪存储器 非平面结构 编程速度
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1158-1161
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 333字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.006

摘要

提出了一种为在低压下工作的具有较快编程速度的新的非平面的flash memory单元结构,该结构采用简单的叠栅结构并只需增加一步光刻制做出这一新的沟道结构.对于栅长为1.2μm flash单元,获得了在Vg＝15V,Vd＝5V条件下编程时间为42μs,在Vg＝-5V,Vs＝8V条件下的擦除时间为24ms的高性能flash单元,这一新结构的编程速度比普通平面型快闪存储器要快很多.这种新结构flash单元在高速应用场合下具有很好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明	中国科学院微电子中心	251	3222	29.0	47.0
2	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
3	欧文	中国科学院微电子中心	27	81	6.0	7.0