硅单电子晶体管的制造及特性

• 作者: 卢刚 王建农 葛惟昆 陈治明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿 量子点 电子束光刻技术
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 246-250
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 888字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.003

摘要

报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺,在p型SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管.特别是,提供了一种制造量子线和量子点的工艺方法,在器件的电流-电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.器件的总电容约为9.16aF.在77K工作温度下,也观测到明显的电流-电压振荡特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	葛惟昆	香港科技大学物理系	14	37	4.0	5.0
3	王建农	香港科技大学物理系	13	55	4.0	7.0
4	卢刚	西安理工大学电子工程系	16	38	3.0	5.0