紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究

• 作者: 侯洵 张景文 杨晓东 邹玮
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 直流反应溅射 XRD
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 光电子学
• 页码范围: 1216-1219
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2524字
• 语种: 中文

摘要

采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质量和晶面取向.通过优化生长条件,在衬底温度为350℃,氧氩比为1∶2的条件下生长出了XRD半高宽为0.1°、C轴取向高度一致的ZnO薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张景文	中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室	13	79	4.0	8.0
2	侯洵	中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室	92	1070	17.0	28.0
3	杨晓东	西北大学光子学与光子技术研究所	4	65	3.0	4.0
4	邹玮	中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室	3	39	2.0	3.0