热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究

• 作者: 刘力锋 杨瑞霞 郭惠
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘砷化镓 热处理 淬火 EL2浓度 砷沉淀
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 3913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.009

摘要

对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC)GaAs单晶在500～1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火,研究了热处理及淬火对GaAs中EL2浓度的影响,讨论了热处理及淬火影响EL2浓度的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学电气信息学院	180	759	13.0	18.0
2	刘力锋	河北工业大学电气信息学院	5	35	3.0	5.0
3	郭惠	河北工业大学电气信息学院	6	35	3.0	5.0