光学加工对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

• 作者: 屠海令 郑安生 黎建明
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 光学加工 断裂模数 损伤层
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 413-415
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.001

摘要

用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素.切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次,机械抛光的断裂模数再其次,而机械抛光后再化学抛光的GaAs晶体的断裂模数平均值最高,其平均值约为135 MPa.光学加工表面损伤层及损伤层中的缺陷、裂纹和应力将导致GaAs晶体的断裂模数值下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠海令		42	224	8.0	12.0
2	郑安生		11	36	3.0	5.0
3	黎建明		14	61	5.0	7.0